Tempoh hayat pengangkut adalah parameter utama dalam fizik semikonduktor, digunakan untuk menerangkan purata masa pembawa tidak seimbang (elektron atau lubang) bertahan dalam bahan sebelum rekombinasi. Nilai ini secara langsung mencerminkan kualiti dan ketulenan bahan semikonduktor, serta potensi prestasi peranti. Berikut adalah penjelasan terperinci:
1. Definisi Asas
Pengangkut:
Partikel pengalir dalam semikonduktor, termasuk elektron (muatan negatif) dan lubang (muatan positif). Apabila teruja oleh cahaya, elektrik, atau haba, elektron beralih dari jalur valens ke jalur konduksi, menghasilkan pasangan elektron-lubang (iaitu pembawa tidak seimbang).
Tempoh hayat pengangkut:
Purata masa dari apabila pembawa tidak seimbang ini dijana sehingga mereka bersatu semula (elektron mengisi lubang), diukur dalam mikrodetik (μs) atau milidetik (ms). Semakin lama jangka hayat, semakin tinggi kualiti bahan tersebut.
2. Mengapa ia penting?
Prestasi Peranti Semikonduktor:
- Sel Solar: Semakin lama jangka hayat pembawa, semakin banyak peluang untuk pasangan elektron-lubang yang dijana secara foton dikutip oleh elektrod, sekali gus meningkatkan kecekapan penukaran.
- Peranti Kuasa (contohnya, IGBT, SiC MOSFET): Umur yang lebih panjang mengurangkan kerugian penukaran dan meningkatkan keupayaan menahan voltan.
- Penderia/Pengesan: Mempengaruhi kelajuan tindak balas dan nisbah isyarat kepada hingar.
Pemantauan Proses:
Penurunan hayat boleh menunjukkan pencemaran bahan (seperti kekotoran logam), kecacatan kristal, atau kerosakan proses (seperti implan ion yang berlebihan).
3. Faktor-faktor yang mempengaruhi jangka hayat pembawa
(1) Sifat Bahan Intrinsik
- Lebar jurang larangan (Eg): Bahan jurang lebar (contohnya SiC, GaN) umumnya mempunyai jangka hayat pembawa yang lebih pendek (nanosecond), manakala silikon (Si) boleh mencapai milisaat.
- Kualiti Kristal: Silikon monokristal mempunyai jangka hayat yang jauh lebih panjang berbanding silikon polikristal (disebabkan rekombinasi pada sempadan butir).
(2) Kekotoran dan Kecacatan
- Kotoran logam (Fe, Cu, dan lain-lain): Buat pusat rekombinasi dan percepatkan rekombinasi pembawa.
Contoh: Dalam silikon, hanya 1 ppb (satu bahagian per bilion) kekotoran besi boleh mengurangkan jangka hayat daripada 1000 μs kepada 10 μs. - Dislokasi/Vakansi: Cacat kristal menangkap pembawa, memendekkan jangka hayat mereka.
(3) Permukaan dan Antara Muka
- Rekombinasi Permukaan: Permukaan lempung silikon yang tidak dipasivasi mengandungi ikatan tergantung yang berfungsi sebagai pusat rekombinasi (boleh ditindas menggunakan lapisan pasivasi SiNx/Al₂O₃).
- Cas Lapisan Oksida: Cas antara muka SiO₂/Si meningkatkan kadar rekombinasi antara muka.
4. Kaedah Pengukuran
| Kaedah | Prinsip | Senario Aplikasi |
|---|---|---|
| μ-PCD | Peluruhan fotokonduktiviti yang dikesan oleh mikrowave | Ujian dalam talian pantas (wafers silikon solar) |
| Kualiti Hidup, Kebebasan, Kemerdekaan, dan Keamanan | Mengukur panjang lintasan pembawa minor dengan fotokonduktansi pada keadaan separa mantap | Pengukuran makmal berketepatan tinggi |
| PL (Fotoluminesens) | Menyimpulkan jangka hayat daripada intensiti foton yang dipancarkan semasa rekombinasi pembawa. | Tanpa sentuhan, sesuai untuk bahan filem nipis |
| TRPL (PL Berpunca Masa) | Mengukur masa peluruhan fluoresen untuk mendapatkan jangka hayat secara langsung | Untuk semikonduktor jurang langsung (contohnya, GaAs) |
5. Kes Praktikal: Bagaimana Tiub Kuarsa Menjejaskan Tempoh Hayat Pembawa
- Pemindahan Pencemaran: Pada suhu tinggi, Na⁺ daripada tiub kuarza boleh meresap ke dalam kepingan silikon, membentuk pusat semula gabungan → mengurangkan jangka hayat.
- Partikel Kristalisasi: Devitrifikasi (pembentukan kristobalit) dalam tiub kuarza boleh menyebabkan zarah terlepas dan melekat pada permukaan wafer → peningkatan kadar recombination permukaan.
Penyelesaian: Gunakan tiub kuarza sintetik ultra-tinggi ketulenan (kekotoran logam <0.1 ppm) dan kawal suhu proses.
6. Nilai Rujukan Industri Tipikal
- Lempung silikon gred fotovoltaik: 100 μs (sel PERC kecekapan tinggi memerlukan >500 μs).
- Silikon gred semikonduktor: 1 ms (silikon berdaya rintang tinggi untuk litar bersepadu).
- Lapisan epitaxial SiC: ~0.1–1 μs (rekombinasi lebih pantas disebabkan sifat jurang lebar).
Ringkasan
Masa hayat pembawa adalah “penunjuk kesihatan” bagi bahan semikonduktor. Nilai ini dipengaruhi secara bersama oleh bahan asas, kekotoran, antara muka, dan persekitaran proses. Dengan mengoptimumkan ketulenan tiub kuarza, kualiti penyegelan flan, dan komponen periferi lain, parameter ini boleh dipelihara secara tidak langsung, sekaligus meningkatkan prestasi peranti.