1. Yarımkeçirici cihazların istehsalı (Çox uyğun)
Yüksək temperaturlu diffuziya/annealing prosesləri:
Kvarts boruları yarımkeçirici plitələrin yüksək temperaturlu diffuziya sobalarında dopinq (məsələn, fosfor və ya borun diffuziyası) və ya anelləşdirmə (dopantların aktivləşdirilməsi) üçün geniş istifadə olunur.
Daşıyıcı ömrü silikon çip keyfiyyətinin qiymətləndirilməsində əsas parametrdir. Əgər kvarts borudakı çirklər (məsələn, metal ionları) çipləri çirkləndirərsə, bu, daşıyıcıların re kombinasiyasının artmasına və ömrünün qısalmasına səbəb ola bilər.
Testlər prosessin waferin elektrik performansına təsirini qiymətləndirmək üçün azlıq daşıyıcısının ömrünü ölçməyi əhatə edir.
Epitaxiya:
Kvarts borular CVD (kimyəvi buxar çökdürməsi) reaksiya kameralarında istifadə olunur. Əgər borunun divarı çirklənərsə və ya devitrifikasiyaya məruz qalsa, epitaxial qatın keyfiyyəti təsirlənə bilər və daşıyıcıların ömrü qısalır.
2. Fotovoltaik (Günəş Hücresi) Sınaqı
Günəş silikon çiplərinin emalı:
PERC və TOPCon kimi yüksək səmərəliliyə malik günəş hüceyrəsi proseslərində passivləşdirmə qatının (məsələn, SiNx və ya Al₂O₃) tətbiqi və ya yüksək temperaturda bişirmə üçün kvarts borulardan istifadə olunur.
Daşıyıcının ömrü birbaşa hüceyrənin çevrilmə səmərəliliyinə təsir edir. Əgər kvarts boru çirklənmə yaradarsa, waferin səthi rekombinasyon sürəti artacaq.
Ölçmələr azlıq daşıyıcılarının ömrünü müəyyən etmək üçün QSSPC (Yarı-sabit-vəziyyət fotokonduktans) və ya μ-PCD (Mikrodalğa fotokonduktans zəifləməsi) üsullarından istifadə etməklə aparılır.
3. Materialların tədqiqi (məsələn, geniş band boşluğuna malik yarımkeçiricilər)
SiC/GaN cihaz prosesləri:
Silikon karbid (SiC) və ya gallium nitrit (GaN) qurğuları üçün yüksək temperaturlu proseslər (>1500°C) ultra-saf kvarts borular tələb edir. Çirklər interfeys vəziyyət sıxlığını artıraraq daşıyıcıların ömrünü azalda bilər.
Tədqiqatlar tez-tez epitaxial qatların və ya oksid qatların elektrik xassələrinə yönəlir.
4. Digər əlaqəli testlər
Fotodetektor və ya sensor istehsalı:
Daşıyıcının ömrü cavab sürətinə təsir edir. Əgər kvarts borular həssas materialları (məsələn, InGaAs) çirkləndirərsə, cihazın performansı pisləşə bilər.
Laboratoriya səviyyəli test:
Bəzi müştərilər sadəcə kvarts borulardan reaksiya qabları kimi istifadə edərək yeni materialların (məsələn, perovskitlərin) daşıyıcı dinamikasını sınaqdan keçirə bilərlər.
Testin əlaqəliliyi
Daşıyıcının ömürboyu həssaslığı:
Bu parametr yarımkeçirici və fotovoltaik sahələrdə kritikdir, lakin tipik sənaye və ya kimyəvi təcrübələr adətən onu xüsusi olaraq ölçmürlər.
Kvarts boruların yüksək temperaturlu tətbiqləri:
Ümumi kimyəvi təcrübələrdə kvarts borulara nisbətən aşağı təmizlik tələbləri tətbiq olunur, halbuki yarımkeçirici/fotovoltaik proseslər çirklənməyə qarşı son dərəcə həssasdır.